Инженеры использовали метод ионной имплантации, что упрощает внедрение технологии в массовое производство. Главным препятствием для подобных устройств долгое время оставался эффект каналирования, при котором примеси проникали глубже расчетного уровня, искажая электрические параметры. Новая конструкция JFET-транзистора с двойной изоляцией позволила минимизировать погрешность порогового напряжения до 0,1 В при нагреве до 400 °C.
Разработчики также нейтрализовали проблему утечек тока, возникающую из-за потери изоляционных свойств подложки при высоких температурах. Сейчас устройство относится к типу normally-on, то есть остается включенным без подачи напряжения. Впереди у команды создание энергоэффективных логических схем, а также поиск материалов для корпусов и межсоединений, способных выдержать аналогичные тепловые нагрузки без потери надежности.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!