Китайские чипмейкеры сократили технологический разрыв до двух лет

Сейчас отставание Китая от Южной Кореи в секторе NAND составляет около 12 месяцев, а в DRAM — два года. Наиболее сложным остается сегмент высокоскоростной памяти HBM, где разрыв достигает трех лет. YMTC уже перешла к выпуску 270-слойных чипов, почти догнав конкурентов с их 300-слойными решениями, а CXMT успешно осваивает производство LPDDR5X.

Для обхода ограничений на поставки оборудования китайские инженеры применяют альтернативные подходы, включая архитектуру X-Stacking и гибридное соединение медь-медь. Это помогает компенсировать отсутствие передовых литографов. Параллельно компании масштабируют производство: CXMT планирует довести выпуск до 300 тысяч пластин в месяц, а в долгосрочной перспективе — до 600 тысяч. Если темпы сохранятся, к 2030 году китайские мощности по выпуску DRAM могут превзойти показатели американской Micron. YMTC демонстрирует схожую динамику, рассчитывая к 2028 году выйти на объемы до 500 тысяч пластин ежемесячно, что сопоставимо с текущими производственными возможностями Samsung в сегменте NAND.