Разработка ориентирована на создание сложной архитектуры из чередующихся слоев кремния и кремний-германия. Основная сложность заключается в селективном удалении SiGe для формирования ячеек памяти без повреждения соседних участков кремния. Метод Naura разделяет процесс на два этапа: сначала фторсодержащие радикалы воздействуют на SiGe, затем плазменная очистка удаляет побочные продукты, мешающие равномерному травлению нижних слоев.
Заявленная селективность травления превышает 500:1, а равномерность обработки для 64-слойных структур достигает 95%. Этот технологический прорыв дает компаниям вроде CXMT возможность наращивать плотность памяти за счет вертикальной компоновки, снижая критическую зависимость от литографии EUV, доступ к которой для Китая ограничен западными санкциями.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!