Для создания нанотрубок инженеры использовали оболочку из нитрида бора, которая служит направляющим каркасом для атомов дисульфида молибдена. Внутри такого ограниченного пространства структура выстраивается с почти идеальной точностью, минимизируя дефекты, неизбежные при традиционном травлении кремниевых чипов. Полученная архитектура оптимальна для транзисторов с круговым затвором (GAA), которые определяют развитие современной микроэлектроники.
Эксперименты подтвердили, что электронные свойства материала напрямую зависят от его диаметра, что открывает возможности для точной настройки характеристик будущих устройств. В отличие от углеродных аналогов, дисульфид молибдена демонстрирует высокую предсказуемость свойств, что делает его перспективным кандидатом для промышленного производства. Сейчас команда работает над масштабированием процесса: цель ученых — увеличить длину структур до одного микрометра и изучить применение метода для создания магнитных и сверхпроводящих материалов.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!