Предыдущие прототипы, разработанные в лабораториях института, справлялись с эмуляцией синаптических связей, но страдали от «кратковременной памяти»: записанное состояние сбрасывалось спустя несколько секунд. Причиной нестабильности ученые назвали дефекты на границе мемристора и полупроводника, где паразитные электрические поля принудительно возвращали компонент в исходное состояние.
Чтобы устранить этот эффект, авторы работы заменили металлические электроды на полупроводниковые и выверили толщину пленки из оксидов гафния и циркония. Инженерам удалось добиться двух режимов работы: «ученика» для быстрой адаптации и «архиватора» для фиксации данных. В итоге время хранения информации увеличилось до 12 суток, а ресурс циклов перезаписи вырос в 20 раз. Интеграция таких элементов позволит создавать процессоры, где вычисления и память совмещены в одной ячейке, что критически важно для снижения энергопотребления систем искусственного интеллекта.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!