Технологии

Micron анонсировала серверную память DDR5 на 512 ГБ

Micron анонсировала серверную память DDR5 на 512 ГБ

Инженеры добились таких показателей с помощью технологии вертикальной упаковки. Несколько слоев DRAM-чипов объединяются в единую конструкцию через сквозные кремниевые переходы TSV. При использовании двухпроцессорной серверной архитектуры с 24 слотами суммарный объем ОЗУ достигает 12 ТБ, что открывает новые горизонты для виртуализации и сложных научных расчетов.

Тестирование показало, что внедрение этих модулей ускоряет выполнение ряда прикладных задач в 1,4 раза. Особенно заметный прирост производительности ожидается в работе платформ Redis и RocksDB, где критически важна скорость масштабирования и доступа к данным. Массовое производство новинки запланировано на вторую половину 2027 года.

Поделиться

Комментарии (0)

Оставить комментарий

Пока нет комментариев. Будьте первым!