Традиционный синтез танталовых пленок требовал нагрева подложки выше 400 °C, что выходило за рамки возможностей многих стандартных производственных линий. При таких температурах тантал начинал активно взаимодействовать с кремнием, создавая промежуточный слой, который провоцировал потери информации и ухудшал работу квантовых схем. Ученые решили эту проблему, заменив аргон на более тяжелый криптон. Высокая энергия ионной бомбардировки атомами криптона обеспечила формирование необходимой кубической структуры материала уже при вдвое меньшем нагреве.
Проверка технологии на трансмонных кубитах подтвердила её эффективность. Устройства с конденсаторным зазором 20 мкм продемонстрировали рекордную добротность до 16,9 млн, что свидетельствует о крайне низком уровне потерь квантового состояния. Эта методика не только улучшает характеристики самих компонентов, но и делает процесс их изготовления совместимым с существующими полупроводниковыми мощностями, устраняя температурные ограничения, сдерживавшие развитие танталовой микроэлектроники.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!