Samsung представила прототип 900-слойной памяти 3D NAND

Техническое решение базируется на методе Cell-on-Cell, при котором два «небоскреба» из ячеек памяти буквально склеиваются между собой. Этот процесс требует ювелирной точности: малейшее отклонение при совмещении слоев делает кристалл нерабочим. Для решения задачи компания внедрила систему коррекции наложения, которая минимизирует погрешности и предотвращает деформацию кремниевых пластин.

Помимо увеличения этажности, разработчики переработали архитектуру линий передачи данных bit line и word line. Эти изменения позволили не только уместить рекордное количество слоев в компактный чип, но и снизить общее энергопотребление системы. Успешные испытания прототипа открывают путь к созданию накопителей нового поколения с еще более высокой плотностью записи, что критически важно для развития современных вычислительных мощностей.