Архитектура 4F² радикально меняет компоновку DRAM, уменьшая площадь одной ячейки на треть по сравнению с традиционными решениями 6F². Президент CXMT Цао Каньюй подтвердил, что компания ведет разработки в этом направлении с 2021 года, планируя интегрировать технологию в 15-нм техпроцесс G5. Параллельно инженеры внедряют High-k Metal Gate (HKMG) для снижения энергопотребления и токов утечки, что критически важно для серверных модулей DDR5 RDIMM.
Масштабирование производства идет агрессивными темпами: до конца 2026 года мощности должны достигнуть 300 тысяч 300-миллиметровых кремниевых пластин в месяц. В долгосрочной перспективе CXMT нацелена на двукратное увеличение этого показателя и активное развитие HBM для систем искусственного интеллекта. Samsung в это время делает ставку на сложную технологию гибридного соединения пластин в рамках процесса D0a, рассчитывая на массовый выпуск лишь к 2028 году. Несмотря на доминирование Samsung, SK hynix и Micron, успех китайского игрока будет зависеть от доступности оборудования и эффективности выхода годных чипов.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!