После завершения инженерных работ в сентябре корейский гигант приступит к подготовке массового выпуска. Строительство специализированных производственных линий запланировано на первую половину 2027 года, а выход серийных микросхем ожидается к концу того же периода. Такая скорость внедрения критична для конкуренции с SK hynix, чьи аналогичные разработки на данный момент находятся на стадии отладки выхода годных кристаллов с ожидаемым завершением к декабрю 2026 года.
Технологический прорыв в 1d-нм DRAM откроет Samsung прямой путь к созданию памяти нового поколения HBM5E. Использование более совершенных норм проектирования станет ключевым фактором в производстве ускорителей для работы с ИИ, где требования к пропускной способности и энергоэффективности памяти постоянно растут. Лидерство в этом цикле позволит компании диктовать условия на рынке высокопроизводительных вычислительных систем.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!